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- 2023-05-30 发布于四川
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本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；栅电极结构，其设置在衬底上；栅极电介质层，其覆盖衬底上的栅电极结构的侧壁表面的至少一部分；沟道层和阻变结构，其顺序地设置在栅极电介质层上；以及多个位线结构，其设置在阻变结构内部。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466902 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010494447.4
(22)申请日 2020.06.03
(30)优先权数据
10-2019-0
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