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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结纳米材料的结构性质预测方法,包括以下步骤:步骤S1:基于密度泛函理论,分析组成新型范德瓦尔斯异质结纳米材料的单层材料的晶体结构;步骤S2:根据得到的单层材料的晶体结构,对单层材料进行错位堆叠排列,得到不同堆叠结构的纳米异质结材料;步骤S3:分别计算不同堆叠结构的纳米异质结材料的总能,并根据能量最低原理,得到最优堆叠结构;步骤S4:计算单层材料和异质结纳米材料的电子结构;步骤S5:计算单层材料和异质结纳米材料的介电函数实部和虚部矩阵,获得光学性质;步骤S6:构建所述晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112447269 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202011351663.X (56)对比文件
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