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本发明提供一种半导体器件结构中多晶硅插塞材料的填充方法及3DNAND存储器的制备方法,在衬底的阵列区的堆叠结构中形成沟道结构之后,在堆叠结构的侧壁以及位于外围区域的衬底的表面形成保护层,该保护层具有相对多晶硅足够高的刻蚀选择比,例如可以是碳薄膜。然后在沟道结构的顶部形成沟槽并沉积多晶硅。去除多余的多晶硅时,由于保护层与多晶硅的刻蚀选择比足够高,不会刻蚀到堆叠结构以及衬底,不会在堆叠结构和衬底的截面处产生衬底凹槽这样的缺陷,有利于提高器件的性能。灰化处理去除保护层,不会有副产物残留,同时也不会对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466888 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011294013.6
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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