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用于硅基底的光吸收增强与减反结构及其制备、测试方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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用于硅基底的光吸收增强与减反结构及其制备、测试方法.pdf

    本发明涉及一种用于硅基底的光吸收增强与减反结构及其制备、测试方法，用于硅基底的光吸收增强与减反结构包括：位于硅基底上表面的半导体纳米柱多聚体周期阵列和覆在所述硅基底和所述半导体纳米柱多聚体的半导体纳米柱上表面的介质减反射层，所述半导体纳米柱多聚体周期阵列由半导体纳米柱多聚体周期性均匀排布而成。本发明可在较宽的波段起到光吸收增强与减反射作用。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115810687 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202211516539.3 H01L 31/18 (2006.01)

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