一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法.pdf

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本申请提供一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112444373 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191