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本发明公开了一种硅基OLED器件的结构，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML‑R发光层、EML‑G发光层以及EML‑B‑1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML‑B‑2发光层以及根据所述EML‑B‑2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑R发光层之间；在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑G发光层之
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466917 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011312960.3
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 安徽熙泰智能科技有限公司
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