原创力文档- 6
- 0
- 约1.95万字
- 约 31页
- 2023-05-30 发布于四川
- 举报
一种内埋元件封装结构及其制造方法。内埋元件封装结构包括一介电结构、一半导体芯片以及一图案化导电层。半导体芯片内埋于介电结构中，介电结构包覆半导体芯片且具有一第一厚度，半导体芯片具有一第二厚度，第一厚度大于第二厚度，且第一厚度与第二厚度的比值介于1.1～28.4之间。图案化导电层覆盖介电结构的一上表面并延伸于介电结构的一第一开孔中，第一开孔露出半导体芯片的一电性接垫，图案化导电层与半导体芯片的电性接垫电性连接。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466833 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201911100304.4
(22)申请日 2019.11.12
(30)优先权数据
文档评论（0）