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半导体表面金属处理方法.pdfVIP

半导体表面金属处理方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体表面金属处理方法，所述方法包括：采用磁控溅射沉积的方法在半导体表面沉积镍过渡层。本发明通过对半导体进行表面真空溅射镀镍膜，由于真空镀膜过程中半导体不受任何外力，不会破裂，因此保证了产品的质量。采用磁控溅射沉积的方法除了能提高成品率之外，还可以用于制造晶片厚度在1mm以下的半导体制冷片，进一步拓展了产品种类，扩大了产品的应用范围。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112442665 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191

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