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本发明公开了一种用硅烷法CVD炉生产电子级多晶硅的装置，包括由上到下均为双层结构且可拆卸连接的封头罩、反应筒和底托；反应筒内部固定有反应基座，反应基座上开设有硅棒生长孔和废气回流孔；底托的内底面上固定有电极固定座，电极固定座上安装有电极，电极上竖向固定有与硅棒生长孔数量相同的硅芯，相邻的两个硅芯的顶端通过导电硅芯电性连接；硅棒生长孔的内侧壁与废气回流孔内部均布置有冷却系统，底托的底壁具有进气管和排气管。本发明热解时温度要求较低，生产效率高、能耗低，把反应温度稳定的控制在最佳范围，减少副反应的发生
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112429737 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 202011378048.8
(22)申请日 2020.11.30
(71)申请人 内蒙古兴洋科技有限公司
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