一种LED芯片及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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本申请提供了一种LED芯片及其制作方法,涉及LED技术领域。该LED芯片包括衬底;位于衬底一侧的缓冲层;位于缓冲层一侧的发光层,其中,发光层包括N型层;位于发光层一侧的反射镜层,反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层;位于反射镜层一侧的P型电极以及与N型层连接的N型电极,P型电极与N型电极间隔设置。本申请提供的LED芯片及其制作方法具有器件性能更好的效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447889 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202011358715.6 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人 广东

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