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本发明的各个实施例针对一种用于对存储器器件中的源极线进行开口的方法。擦除栅极线(EGL)和源极线形成为平行地伸长。源极线位于EGL下面，并且通过介电层与EGL分隔开。执行第一蚀刻以形成穿过EGL的第一开口，并且在介电层上停止。执行第二蚀刻以减薄第一开口处的介电层，其中在公共掩模位于适当的位置的情况下执行第一蚀刻和第二蚀刻。执行硅化物工艺以在第一开口处的源极线上形成硅化物层，其中，硅化物工艺包括在第二掩模位于适当的位置的情况下的第三蚀刻，第三蚀刻使第一开口延伸穿过介电层。形成穿过EGL延伸至硅化物
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447737 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202010787448.8 H01L 27/1157 (2017.01)
(22)申请日
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