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- 2023-05-30 发布于四川
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本申请涉及一种集成电路领域，提供了一种后备域数据保护的电路及其方法，该电路包括：第一至第四PMOS晶体管、非逻辑门和与逻辑门，第一PMOS晶体管的漏极连接主电源，源极连接第二PMOS晶体管的源极，第二PMOS晶体管的漏极连接后备域网络，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极均连接非逻辑门的输出端，非逻辑门的输入端连接第一控制信号；第三PMOS晶体管的漏极连接备用电源，源极连接第四PMOS晶体管的源极，第四PMOS晶体管的漏极连接后备域网络，第三PMOS晶体管的栅极连接与逻辑门的输出端，第四
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112448473 B
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202110133064.9 (51)Int.Cl.
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