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一种用于沿着至少一个分离线对包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片进行分离的分离方法,该分离方法至少包括以下步骤:提供半导体晶片,该半导体晶片具有上侧、下侧、与上侧材料锁合地连接的粘合剂层和与粘合剂层材料锁合地连接的盖玻璃层,其中,具有多个太阳能电池堆叠的半导体晶片分别包括构成半导体晶片的下侧的锗衬底层、锗子电池和至少两个III‑V族子电池,沿着分离线借助激光烧蚀产生分离沟道,该分离沟道从半导体晶片的下侧穿过半导体晶片和粘合剂层至少延伸至盖玻璃层的与粘合剂层邻接的下侧,以及沿着分离沟道分开盖玻璃层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447883 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202010881681.2
(22)申请日 2020.08.27
(30)优先权数据
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