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提供封装结构和封装结构的形成方法，此方法包含形成导电结构于承载基板之上以及设置半导体晶粒于承载基板之上。此方法也包含形成保护层以围绕导电结构与半导体晶粒。此方法也包含形成绝缘层于保护层之上。绝缘层具有开口暴露出导电结构的一部分。开口的宽度大于25微米。此外，此方法也包含形成导电层于绝缘层之上。导电层过量填充开口，且导电层具有大致平坦的顶面。导电层的一部分延伸横跨导电结构的侧壁。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447527 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202010869961.1
(22)申请日 2020.08.26
(30)优先权数据
62/894,33
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