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本发明涉及SiCIGBT器件的底板，具体为一种新型SiCIGBT器件一体化底板结构。一种新型SiCIGBT器件一体化底板结构，包括底板本体，底板本体的上表面连接有陶瓷基板，陶瓷基板的上表面连接有铜层，底板本体与陶瓷基板间、陶瓷基板与铜层间均通过活性金属钎焊工艺实现连接，形成一体化底板结构。底板本体与陶瓷基板以及陶瓷基板与铜层之间通过活性钎焊工艺连接，熔点由采用的活性金属决定，解决了现有底板与陶瓷覆铜板的焊接层熔点低问题，能有效发挥SiCIGBT器件在178℃以上高温环境中的应用优势；相较
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447616 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202011306255.2 H01L 23/373 (2006.01)
(22)申请日
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