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本发明的目的在于提供一种氮化物薄膜及其制备方法，属于半导体外延工艺技术领域，所述氮化物薄膜包括位于衬底上的缓冲层、位于缓冲层上交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层，重掺杂氮化物层具有粗糙表面结构，非故意掺杂氮化物层具有平坦表面结构。本发明的重掺杂氮化物层的粗糙结构能够引起位错的弯曲和终止，减少后续生长的外延膜中的位错密度，粗糙的重掺杂氮化物层也有利于应力释放，减少外延膜中的应力；非故意掺杂氮化物层的平坦表面具有较低的表面粗糙度，能够为后续外延膜的生长提供良好的生长表面。因此，本发明通过交
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115799046 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202211504945.8
(22)申请日 2022.11.29
(71)申请人 鲁东大学
地址 264000 山
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