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本发明提供一种电阻式随机存取存储结构及其制造方法，此电阻式随机存取存储结构包括：基板，具有阵列区及周边区；第一低介电常数介电层，位于周边区，且其介电常数小于3；多个存储单元，位于基板上且位于阵列区；间隙填充介电层，位于阵列区，间隙填充介电层覆盖存储单元且填入相邻的存储单元之间；多个第一导电插塞，位于间隙填充介电层中，第一导电插塞的每一者与存储单元之中的一者接触；虚设存储单元，位于阵列区与周边区的交界处，虚设存储单元并未与第一导电插塞的任一者接触。本发明提供的电阻式随机存取存储结构，能够明显改善产
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112531107 A
(43)申请公布日
2021.03.19
(21)申请号 20191
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