一种沟槽式电容器件及制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种沟槽式电容器件及制备方法.pdf

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本发明提供一种沟槽式电容器件及制备方法，所述沟槽式电容器件的沟槽电容结构位于沟槽介质层远离所述衬底的一侧，且填充贯穿所述沟槽介质层的第一沟槽，电连接所述第一金属互连层，电容侧墙覆盖所述沟槽电容结构的侧面，电极互连层填充贯穿所述沟槽介质层的第二沟槽，电连接所述第二金属互连层。所述电容侧墙避免了所述沟槽电容结构的上电极层和下电极层的短路，达到了提高器件性能和可靠性的目的，具有显著的意义。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510012 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011551017.8 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中