一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.85千字
约 9页
2023-05-31 发布于四川
举报
版权申诉

一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提出一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备，通过在闪存控制器中内置SRAM存储器，通过SRAM存储器缓存Flash扇区的值，以实现硬件电路自动完成对Flash阵列的烧写擦除操作。本申请有效提高Flash同地址多次烧写的效率和便利性，提高Flash的存储实用性；有效降低Flash同地址多次烧写所占用的软件开销和CPU负荷，提高MCU系统的执行效率；所增加的控制电路均为纯数字逻辑设计，硬件开销较小，易于在电路设计中实现，成本低。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115798550 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202310079459.4 G11C 16/26 (2006.01)