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- 2023-05-31 发布于四川
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本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115787078 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202211657123.3
(22)申请日 2022.12.22
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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