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一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料领域。将低熔点、高润湿性的R1‑M型合金附着在钕铁硼磁体的表面,在600‑800℃进行预扩散处理,并在450‑550℃进行预退火处理,得到晶界相网络,并为后续扩散提供通道;再将R2‑M型合金作为扩散源,在850‑950℃对磁体进行进一步晶界扩散处理,使R2元素在2:14:1主相晶粒的外层形成均匀的磁硬化壳层,并进行退火处理,得到最终磁体。R1为La、Ce、Nd、Pr、Sm中的至少一种,R2为Gd、Tb、Dy和Ho中的至少一种,M为Fe、C
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112489914 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011211909.3
(22)申请日 2020.11.03
(71)申请人 北京科技大学
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