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外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法.pdf

    本申请公开了外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法，其中，外延结构，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；U‑GaN缓冲层，位于衬底的第一表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；N‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于N‑GaN沟道层的表面。本申请外延结构，P‑GaN层在N‑GaN沟道层下方，AlGaN势垒层在最上端，避免了由于P‑GaN层刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏，进而影响了2DEG的问题，本申请的外延结构提升了器件的可靠性与

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799380 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211654194.8 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 浙江芯科半导体有限公司 地址 31

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