半导体三极管及其放大电路基础.pptxVIP

第1页/共56页半导体三极管及其放大电路基础第2页/共56页3.1 半导体三极管 3.2 基本共射极放大电路3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析3.5 静态工作点的稳定3.6 共集与共基极放大电路第3页/共56页3.1 半导体三极管 半导体二极管（第二章） 晶体管双极型半导体三极管（第三章） 半导体三极管 单极型半导体三极管（第四章） 半导体三极管重要→原因→结构？？→决定其重要作用 电流放大作用（本章学习重点）→ 开关作用第4页/共56页3.1 半导体三极管 一、半导体三极管的基本结构及类型 图 3 - 1几种半导体三极管的外形 第5页/共56页3.1 半导体三极管 一、半导体三极管的基本结构及类型 无论何种类型的双极型三极管，其结构内部都分NPN或PNP三层。由此它分两种类型:NPN型和PNP型。其结构示意图和符号如图所示。　半导体三极管第6页/共56页CCCCPNPBNPNBBBEEEENPN型三极管PNP型三极管三极管符号第7页/共56页图 3 – 2 三极管的结构示意图和符号 第8页/共56页 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们的核心部分是两个PN结，分别称为发射结BE和集电结BC。 三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出 三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。 第9页/共56页围绕内部结构阐述晶体管的电流放大作用：二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）*1.三极管放大的两个条件：1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。第10页/共56页C集电极NPB基极NE发射极集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高第11页/共56页二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）*2）外部条件：为使三极管具有电流放大作用，所加的外部电源必须使两个PN结偏置合适。发射结（BE结）须正向偏置（有利于多子扩散）集电结（BC结）须反向偏置（有利于少子漂移）。 第12页/共56页二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）*2、三极管放大电路的构成：为使三极管电流放大作用得以实现，构成电路时三个电极发射极（e)、基极(b)和集电极(c)其中一个做小信号输入端, 一个作输出端，一个电极做公共端。从而构成二端口网络，即输入、输出两个回路。具体有三种接法（三种组态）：见下图共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。第13页/共56页三极管的三种组态 ：图 3 -三极管的三种组态第14页/共56页下面以共发射极组态为例分析：1）NPN型晶体管2）依据外部条件建立电路：发射结（BE结）须正向偏置→输入回路（基极回路）集电结（BC结）须反向偏置→输出回路（集电极回路）发射极接地（原因）3）VCC(EC) ＞VBB(EB) 第15页/共56页CNBEcPIBNRBEIEEB3、 三极管电流的形成与分配 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。第16页/共56页(1)发射：发射区向基区发射（扩散）注入电子，形成发射极电流IE 发射结正偏，有利于发射区和基区的多子扩散运动。发射区向基区发射的电子所形成的电流,称为电子注入电流IEN,基区向发射区扩散的空穴所形成的电流称为IEP。发射极电流ＩＥ由两部分组成：ＩＥN和ＩＥP。因为发射区是重掺杂,基区浓度很小且很薄，所以ＩＥP忽略不计, 即ＩＥ≈ＩＥN。(2)扩散和复合：电子在基区边复合边扩散，形成基极电流IB 由发射区注入基区的电子称为非平衡少子，由于浓度差继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。基区空穴是由电源ＵＢＢ提供的,故它是基极电流的一部分。由于基区薄且浓度低，所以IBN很小。第17页/共56页ICCICNBIBPNEIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。EcRBEB要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。第18页/共56页(3)收集：集电区收集从发射区扩散到基区的电子，形成集电极电流IC 由于集电结反偏，促进集电区和基区的少数载流子漂移运动。所以基区中扩散到集电结边缘的电子（