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- 2023-05-31 发布于四川
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本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，该器件包括：衬底，衬底中形成有第一栅极和第二栅极，衬底表面，以及第一栅极、第二栅极和衬底之间形成有栅介质层；衬底的正面至第一深度形成有第一掺杂区，衬底的正面至第二深度形成有第一重掺杂区，衬底的背面至第三深度形成有第二掺杂区，衬底的背面至第四深度形成有第二重掺杂区，第二深度小于第一深度，第四深度小于第三深度；第一栅极和第二栅极之间形成柱形掺杂区，柱形掺杂区的底部低于第一栅极和第二栅极的底部，柱形掺杂区的顶部低于第一栅极和所述第二栅极的顶部。本申请通过在IG
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115799315 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202211491920.9
(22)申请日 2022.11.25
(71)申请人 华虹半导体（无锡）
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