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基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法.pdf

    本发明是一种基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法，本发明的光开关结构自下而上：第一层为石英衬底，第二层为由多对高折射率薄膜和低折射率薄膜交替组成的底部分布式布拉格反射器(DBR),第三层为刻蚀在底部DBR上的叉指电极以及在电极之间均匀有序排列的Ⅱ‑Ⅵ族半导体纳米片(NPLs)，第四层为由多对高折射率薄膜和低折射率薄膜交替组成的顶部DBR。本发明提供的基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关将斯塔克效应器件引入微谐振腔中，借助微腔对工作波长的共振特性使得入射光得到了增强，而且通过微腔延长了

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115793154 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211631478.5 C23C 14/10 (2006.01)

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