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本发明公开了一种气固反应制备太阳能电池吸收层四硫化锑三铜薄膜的方法,其衬底为镀钼薄膜、导电玻璃、钠钙玻璃、石英玻璃或者金属箔中的一种;磁控溅射的Cu靶材,纯度为99.8%;将Cu靶材通过磁控溅射在氩气氛围下沉积于清洁衬底上,形成Cu的前驱体薄膜;将得到的Cu前驱体薄膜置于Sb2S3+S气氛中热处理,最终得到本方法所述的Cu3SbS4薄膜。本发明采用磁控溅射Cu前驱膜后进行气固反应的方法,具有合成薄膜成相纯净单一、制作工艺简单、安全无毒、制备设备不复杂、可实现大面积生产以及厚度易控等优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112481593 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011328649.8
(22)申请日 2020.11.24
(71)申请人 福建
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