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2023-05-31 发布于四川
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一种硅片含铜量的测试方法.pdf

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本发明提供一种硅片含铜量的测试方法。硅片含铜量的测试方法包括：去除目标硅片表面的氧化层；将所述目标硅片在预设温度下加热预设时长，所述预设温度为100至500摄氏度，所述预设时长为10至300分钟；在所述目标硅片冷却后，测量所述目标硅片的表面铜含量值；根据所述目标硅片的表面铜含量值确定所述目标硅片的含铜量值。本发明实施例通过对硅片进行加热，使得硅片中的铜能够扩散到硅片表面，进一步根据硅片的表面铜含量值确定硅片的含铜量值，从而能够相对准确的测量硅片中的铜含量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112485090 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011405857.3 (22)申请日 2020.12.03 (71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司

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