1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种半导体反应腔室.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.52万字
  • 约 14页
  • 2023-05-31 发布于四川
  • 举报

一种半导体反应腔室.pdf

    本发明提供一种半导体反应腔室，涉及半导体技术领域。该半导体反应腔室包括腔体以及设置于腔体内的承载装置和密封组件，其中，承载装置包括承载基台和环绕承载基台的承载面设置的限位件，限位件与承载基台围成用于容置待加工工件的容置空间；承载基台内设有输气通道，限位件内设有与输气通道连通的导气通道，导气通道与容置空间连通；密封组件包括第一驱动结构和密封盘，第一驱动结构用于驱动密封盘运动，密封盘用于在第一驱动结构驱动至承载基台上方时与限位件接触，以密封容置空间。该半导体反应腔室对待加工工件的加工质量高、冷却效率

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112501579 B (45)授权公告日 2022.08.16 (21)申请号 202010971686.4 C23C 14/50 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >