钝化与扩散技术.pptxVIP

钝化与扩散技术;影响太阳电池效率的主要特性;一、扩散及电池设计;1、发射区设计;各种电活性的磷扩散浓度的纵向分布;;掺杂的有效性;太阳电池发射极扩散设计1—掺杂浓度;太阳电池发射极扩散设计2—少子寿命;Auger复合;Auger复合造成的问题;太阳电池发射极扩散设计3—吸收系数;太阳电池发射极扩散设计4—与太阳光谱的匹配;发射极优化设计;设计概念1;设计概念2;2、基区设计原则;基区厚度;电子的迁移率;基区设计参数;基区的少子寿命;基区设计考虑因素;基区设计考虑因素1—收集几率;少数载流子收集的数量（忽略体复合）等于载流子产生率与收集几率的乘积;二、钝化设计;基区少数载流子收集的重要目标;1、体复合;背场效应;各种体内杂质;各种杂质在硅中造成电池效率的下降;各种杂质在硅中的实测电离能;材料的少子寿命与掺杂的关系;掺杂杂质的费米能级位置与浓度和温度的关系;体内钝化方案;体内钝化方案;氢钝化机理;2、表面复合;载流子通过表面的复合;载流子通过表面的复合;三、扩散与钝化的关系;有高表面复合速率的电池中，结深对电池效率的影响（PC-1D拟合）;有低表面复合速率的电池中，结深对电池效率的影响（PC-1D拟合）;发射结的结深和表面浓度对方块电阻的影响（PC-1D拟合）;发射结结深表面复合速率对电池效率的影响（PC-1D拟合）;表面复合速率对于浅结和深结电池效率的影响（PC-1D拟合）;讨论;讨论;关于各种PECVD技术的评价;在P型硅衬底上磷扩散方块电阻对饱和电流和开压的影响;小结;不同钝化技术对光滑硅表面的钝化特性;不同钝化技术对织构化硅表面的钝化特性;方块电阻对裸硅片的影响;各种表面复合速率的比较;各种钝化技术的结果;栅线电极对太阳电池钝化的影响;具有不同电极面积的表面复合;小结;四、 烧结对钝化膜表面钝化效果的影响;SiN膜的高温退火效应;各种PECVD技术的低温退火效应;小结：实验及其发现;五、 氮化硅膜的钝化特性与减反射特性的矛盾;介电常数对于饱和电流的影响;不同介电常数的SiN膜的吸收系数;SiN膜的折射率与表面符合速率与反射和吸收的关系;沉积温度对于饱和电流的影响;各种PECVD技术的UV辐照特性;微波法PECVD总流量与沉积速率的关系;??波法PECVD折射率与气体稀释率的关系;微波法PECVD稀释率对于SiN薄膜的吸收系数的影响;微波法PECVD总气体流量对于折射率的影响;微波法PECVD衬底温度对于折射率的影响;微波法PECVD折射率对敦化特性的影响;硅烷稀释率对于电压与电流的影响;;六、SiN膜的减反射设计;Si的折射率~4（632.8nm），并随波长变化 因此硅空气中的反射率 ~ 30—35 % Engineering Solution (~ 1932.. Zeiss);反射膜的设计;反射膜的设计;反射膜的设计;卖硅片？ 还是卖组件？;反射膜的设计;多层反射设计;七、发射结方块电阻与基区电阻率的关系;基区电阻率和发射区表面方块电阻的匹配;平表面：Jsc=35mA/cm2;Sheet Resistance(?/?);Sheet Resistance(?/?);基区电阻率和发射区表面方块电阻的短路电流匹配;讨论;谢谢！;感谢观看!