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本发明涉及一种提高芯片Al电极打线成功率的工艺方法，其包括：启动磁控溅射设备沉积TiN，用以沉积Ti和TiN的第二腔体内留存用以形成TiN的氮气且Ti靶材表面会残留一层TiN薄膜；芯片上依次沉积Al层、Ti层和TiN层，而后退火、沉积钝化层、刻蚀后得到具有麻点Al电极的芯片，在Al层和Ti层之间形成一层TiN，避免退火时，Al和Ti接触而形成合金而阻碍Al的应力释放及再结晶，使得得到的Al电极具有麻点，因麻点为凹凸不平结构，使得打线不易脱落，有利于后续打线的成功率，此外，制备Al层和Ti层之间的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563128 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011432721.1
(22)申请日 2020.12.10
(71)申请人 苏州工业园区纳米产业技术研究院
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