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一种用于晶体生长的化料方法.pdfVIP

一种用于晶体生长的化料方法.pdf

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    本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112553683 B (45)授权公告日 2022.05.24 (21)申请号 202011209784.0 (56)对比文件

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