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2023-06-01 发布于四川
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检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端.pdf

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本发明公开了一种检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端，在CP测试模式下采用特殊配置信号，让待测flash能够在测试模式下使用正常的写指令写入固定数据，再通过测试模式下的读指令边读取数据边进行对比，输出对比结果的标志信号，并同时把错误的地址存储起来，在待测flash下一次上电时即可用冗余存储区替换坏掉的区域；无需对待测flash整片写入再整片读出，可以在测试时边测试边确定芯片中无法擦写的存储区域，极大地提高flash存储出错的检测效率，实现冗余替换；通过采用本方案，可以有效提高fla

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542199 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011614403.7 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人深圳市芯天下技术有限公司

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