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半导体装置.pdfVIP

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    提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563242 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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