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本发明提供一种单晶PERC晶硅电池背钝化制备工艺及PERC太阳能电池,该方法包括背钝化:在单晶硅片的背面,使用沉积氧化铝工艺,采用ALD法沉积一定厚度的氧化铝膜,其中,工艺温度在160‑180℃之间,恒温时间在380‑420秒之间,微导圈数在20‑30圈之间,每圈厚度在0.15‑0.2nm之间,TMA/O3氮气流量在20±2/18±2的范围内。本发明提供了单晶PERC晶硅电池背钝化制备工艺及PERC太阳能电池,与现有产线的工艺匹配性好,有效提高电池转换效率,缩短流程,操作简单,有效降低成本、提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563370 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011407347.X
(22)申请日 2020.12.04
(71)申请人 通威太阳能(安徽)有限公司
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