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2023-06-01 发布于四川
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一种悬桥结构热电堆器件的制作方法.pdf

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本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563402 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011262952.2 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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