实验6 存储器读写实验报告.docVIP

实验六 存储器读写实验 学号 姓名 实 验 报 告 课程名称： 计算机组成原理 实验项目： 存储器读写实验 实验类型：综合性√ 设计性□ 验证性□ 专业班别： 姓 名： 学 号： 实验课室： 指导教师： 实验日期： 2022年 6月 25日 广州华商学院教务处 制 一、实验项目训练方案 小组合作：是√ 否□ 小组成员：无 实验目的： 1.掌握地址寄存器的构成和工作特性； 2.掌握指令寄存器的构成和工作特性； 3.掌握存储器单元的工作原理。 4.通过实验，锻炼学生的分析问题和解决问题的能力，在出现问题的情况下，独 立分析问题并予以解决。 实验场地及仪器、设备和材料 （请你据实填写） 实验场地： 仪器设备：计算机 软件：Windows XP，杭州电子科技大学的计算机组成原理精品课程教学网计算机组成原理实验软件。 打开网页进入仿真平台，→单元实践→“地址寄存器单元”、“指令寄存器单元”、“存储器单元”，完成仿真练习。 或者：网络版实验软件 /2017/1123/c1801a56274/page.htm 实验训练题目： 实验原理 向地址寄存器单元输入8位的二进制数作为地址值，在驱动电路的发光二极管上显示；向指令寄存器单元输入8位的二进制数作为指令值并在输出端输出；向存储器单元指定的地址单元中输入指令值，完成读写操作。 地址寄存器单元( AD UNIT) 地址寄存器单元电路如图6-1所示。地址寄存器单元地址寄存器AR(8位)由一片741S273构成，其输入端由排针断路器将总线单元(BUS UNIT)的D8-D1输入到AR，输出端接至排针A8-A1，并在输出端接有8位地址显示灯A8-A1地址寄存器AR的打入脉冲虫控制信号B-AR控制，B-AR在T3时刻上升沿有效。接通电源后，在总线上点击可改交总线上的数据，再通过点击B-AR管脚产生一个脉冲，可将数据送入寄存器，并在LED上显示。 图6-1 地址寄存器电路结构图 指令寄存器单元( INS UNIT) 指令寄存器74LS273（如图6-2所示）是由一片74S273构成指令寄存器IR(8位)，其输入端用排针断路器接自总线单元( BUS UNIT)的D8-D1，输出端为Q8～Q1即指令码，供 INS UNIT单元的指令译码电路和寄存器译码电路使用。接通电源后，在总线上点击可改变总线上的数据，再通过点击B-IR管脚产生一个脉冲，可将数据送入指令寄存器。 图6-2 指令寄存器电路结构图 存储器单元 存储器单元电路如图6-3所示，模型机的存備器部件由一片616(2K×8位)静态RAM芯片组成。接通电源后，在地止总线上点击可改变总线上的数据，将地址送入存储器，当M-W为低电平时，点击IO处可将数据写入到存储器中，M-R为低电平时，读出此地址单元的数据，还可以通关点击芯片上的放大镜图标来里示，存器内部的数据状态。 图6-3 存储器单元电路结构图 存储器读写实验： （一）存储器读/写实验原理图如图6-4所示。 图6-4（a) 存储器读写实验原理图 图6-4(b) 存储器读写实验电路结构图 本实验涉及的电路有存储器单元(MEM UNIT)、手动单元( MANUAL UNIT)、地址单元( ADDR UNIT)、输入输出单元(INPUT/OUTPUT UNIT)。存储器单元的M-W信号和M-R信号由手动单元相应的开关控制，M-R＝0表示读存储器，M-W＝0表示写存储器。 本实验的实验步骤是： （1）产生存储器读写地址的方法是：由输入设备直接把要读写的存储器地址打入到地址寄存器AR中，先拨输入开关D8～D1，并使IO-R＝0，将存储器读写地址送到总线。B-AR是给AR置值的控制信号，高脉冲有效。B-AR开关拨高再拨低就产生一个脉冲信号，使总线上的数据被写入AR。当B-AR是低电平时，AR(74LS273)的输出就被锁住，其输入端将不能影响它的输出值。 （2）写存储器的方法是：先送存储器地址到AR，再设量存储器写状态M-W=0，将数据写入指定地址的存储单元内，置存储器写信号M-W＝1，撤销其他控制信号。 （3）读存储器的方法是：先送存储器地址到AR，再设置存储器写状态M-R＝0，将指定地址的存储单元内的数据读出，并送到总线，在总线显示灯（BUS DISPLAY）显示，若要将其显示到输出单元( OUTPUT UNIT)，在手动单元将IO-W开关拨高再拨低，产生一个低脉冲就能将