一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用.pdf

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本发明提供了一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用，该富氮碳化硅粉料中氮含量为1.0×1018～1.0×1020atoms/cm3，该富氮碳化硅粉料的粒径为10～200μm。该富氮碳化硅粉料中氮含量较高，可作为原料用于N型碳化硅晶体的生长，有效避免了由于外界通入氮气，容易导致晶体氮掺杂均匀性差的问题。该制备方法通过控制一定的压力和温度，将碳化硅粉料进行稳定的氮化处理，使得碳化硅粉料吸附有较多的氮源，得到的N型碳化硅晶体电导率较均匀、导电稳定、缺陷少，晶体质量高，将其用于晶体衬底和电子器件中有效提高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112522788 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011196712.7 C30B 31/06 (2006.01) (22)申请日 2