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本发明公开了一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，本发明操作时，首先进行外延层的生长，其中外延层的生长属于常规工艺，生长外延层后在GaP窗口层上生长ITO膜层，可有效提高LED芯片的发光亮度，并且提高芯片的导电性能；ITO膜层生长结束后，进行P面电极、N面电极的制作，而后利用锯片机进行锯片切割，切割之前在P面生长保护层，切割完成后对芯片进行清洗，去除晶片表面残留的保护层，烘干后扩膜，形成独立管芯结构。本技术方案工艺设计合理，操作简单，利用氯化铯薄膜作为保护层，进行后续锯片切割时，保护层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112542534 B
(45)授权公告日 2022.04.05
(21)申请号 201910893385.1 (51)Int.Cl.
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