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本发明提供一种硅片样片的制作方法和硅片样片。硅片样片的制作方法包括提供硅片基材；在硅片基材上滴加金属溶液，并将滴加有金属溶液的硅片基材干燥；将干燥后的硅片基材在预设温度下加热预设时长，预设温度不低于200摄氏度，预设时长不小于5分钟；将加热之后的硅片基材作为硅片样片。由于金属溶液的浓度和体积均是已知的，可以确定所使用的金属溶液中的金属含量，这样，能够确定硅片样片中的金属含量，通过将硅片样片与待测硅片以相同的方式进行测试，并根据硅片样片的测试结果和已知结果相对比，能够确定测试结果的偏差，从而对待测
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112539982 A
(43)申请公布日 2021.03.23
(21)申请号 202011410162.4
(22)申请日 2020.12.03
(71)申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
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