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2023-06-01 发布于四川
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一种压电陶瓷片磁控溅射镀膜工艺及应用.pdf

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本发明公开了一种压电陶瓷片磁控溅射镀膜工艺，包含以下步骤：（1）用硅油清洗待镀压电陶瓷片，清洗完后用无尘布擦拭干净，再用酒精清洗，烘干；（2）以铜‑镍为靶材，抽真空至腔室真空度达到0.05~0.15Pa，通入惰性气体，采用磁控溅射工艺，在功率为100~120W，溅射气压为1~1.5Pa，溅射时间为25~35min，基片温度为150~200℃条件下，在压电陶瓷片的两个表面形成厚度均匀的铜‑镍金属膜层。本发明所述的磁控溅射镀膜工艺，采用铜‑镍为靶材，能够在压电陶瓷表面镀一层均匀的厚度为250~350

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112538609 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011432738.7 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人广州

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