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本发明提供了一种化学机械抛光方法及装置，属于半导体技术领域。化学机械抛光方法包括：利用至少两个抛光冷却阶段对硅片进行化学机械抛光，每一所述抛光冷却阶段依次包括抛光阶段和冷却阶段；其中，在所述抛光阶段使用抛光液对所述硅片进行抛光；在所述冷却阶段检测抛光盘的温度，根据所述抛光盘的温度调整冷却液的添加剂量，将所述冷却液直接通入到所述抛光盘的表面对所述抛光盘进行冷却。本发明能够提高硅片的表面平坦度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112536709 A
(43)申请公布日 2021.03.23
(21)申请号 202011356583.3 H01L 21/306 (2006.01)
(22)申请日
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