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本发明提出了一种基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法；该SiC小角度深刻蚀终端制作方法采用双层胶剥离工艺制备刻蚀所需的极小倾角金属掩膜，其工艺原理主要是通过控制双层胶工艺形成的光刻胶倒台面形貌来控制剥离之后的金属掩膜形貌，通过工艺优化控制获得了边缘倾斜角度平均仅为1.6°的金属掩膜；利用该掩膜实现了深度14.5μm而角度仅为27°的SiC刻蚀形貌；最后基于该SiC小角度深刻蚀工艺可实现新型双向耐压SiCGTO器件逆向终端的制作；本发明的终端制作方法还可应用于SiCPiN功率二极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530795 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202010848381.4
(22)申请日 2020.08.21
(71)申请人 中国工程物理研究院电子工程研究
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