形成半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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形成半导体器件的方法.pdf

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一种方法包括：分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；沉积含镧层，该含镧层包括分别与第一栅极电介质和第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；以及沉积硬掩模，硬掩模包括分别与含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分。该硬掩模不含钛和钽。该方法还包括形成图案化的蚀刻掩模以覆盖硬掩模的第一部分，其中硬掩模的第二部分暴露；去除硬掩模的第二部分和含镧层的第二部分；以及执行退火以将含镧层的第一部分中的镧驱入第一栅极电介质中。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530870 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010981181.6 (22)申请日 2020.09.17 (30)优先权数据 16/572,82