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本发明涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供一种能够改善恢复损耗以及恢复耐量这两者的技术。半导体装置具有：第2导电型的基极层，其配置于IGBT区域的半导体基板的表面侧；以及第2导电型的阳极层，其配置于二极管区域的半导体基板的表面侧。阳极层包含：第1部分，其具有下端，该下端位于与基极层的下端相同的位置或者与基极层的下端相比位于上方；以及第2部分，其在俯视观察时与第1部分相邻，下端与第1部分的下端相比位于上方。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563321 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202010987022.7 H01L 21/28 (2006.01)
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