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一种制造器件的方法，包括在第一器件类型区域中提供第一鳍并且在第二器件类型区域中提供第二鳍。第一鳍和第二鳍中的每个包括多个半导体沟道层。在第一鳍和第二鳍中的每个的相对侧上执行STI区域的两步凹陷，以暴露出第一鳍的第一数量的半导体沟道层和第二鳍的第二数量的半导体沟道层。第一栅极结构形成在第一器件类型区域中，并且第二栅极结构形成在第二器件类型区域中。第一栅极结构形成在具有第一数量的暴露的半导体沟道层的第一鳍上方，并且第二栅极结构形成在具有第二数量的暴露的半导体沟道层的第二鳍上方。本发明的实施例还涉及半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582402 A
(43)申请公布日
2021.03.30
(21)申请号 20201
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