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本发明提出一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置，属于单晶硅生产加工技术领域；高温退火装置，包括坩埚和包围桶，包围桶内放置有待高温退火的碳化硅晶体，包围桶置于坩埚内，包围桶与坩埚之间充满碳化硅粉体，坩埚置于感应加热炉内，包围桶设置有透气孔隙；本发明将碳化硅粉料与碳化硅晶体有效隔离，在碳化硅晶体周围形成饱和气氛，不仅可以有效防止碳化硅晶体或晶片表面蒸发，同时隔离粉料与碳化硅晶体的相关作用，便利了晶体或晶片退火的操作，解决大尺寸SiC晶体、晶片应力大的难题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112553694 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202110044329.8
(22)申请日 2021.01.13
(71)申请人 山西烁科晶体有限公司
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