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本申请属于压力传感器领域，涉及一种MEMS压力芯片及其制备方法。该芯片包括：支撑部，具有通腔；感应膜层，悬空于通腔且通过支撑部支撑，感应膜层包括悬空区和搭接区，感应膜层通过搭接区连接于支撑部，悬空区悬空于通腔且悬空区开设有与通腔连通的至少一个应力集中槽；压敏电阻，多个压敏电阻分别设于感应膜层背向支撑部的一侧且分别与应力集中槽对应设置，压敏电阻用于根据感应膜层的形变产生电信号。本申请实施例通过在压敏电阻相对的地方设置应力集中槽，一方面，可以减薄压敏电阻在应力集中槽位置的厚度，提高压敏电阻的灵敏度，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112607701 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011356433.2
(22)申请日 2020.11.26
(71)申请人 西人马联合测控（泉州）科技有限公
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