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一种绝缘灌封方法及功率半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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一种绝缘灌封方法及功率半导体器件.pdf

    本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件，该方法包括：在待灌封样品表面形成涂覆层；在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封，第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理，第一脱气处理包括多次真空和正压处理；在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明，对待灌封样品构建了三道保护防线，其中，形成的涂覆层能够降低局放起始电压，第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护，第二层灌封起到支撑和导热作用，同时能够更好的隔绝外部环境水汽，提高器件可靠性。并且，在进行第一层灌封时，第一脱气处理采

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799085 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211426344.X (22)申请日 2022.11.15 (71)申请人 北京智慧能源研究院 地址 1022

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