用于焦平面阵列的高密度电容器.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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用于焦平面阵列的高密度电容器.pdf

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一种光电检测器结构，包括读出集成电路(ROIC)衬底和覆盖IC衬底的电介质层。电介质层限定形成在电介质层的顶表面中的多个凹陷，其中每个凹陷具有从电介质层的顶表面延伸到每个相应凹陷的底部的至少一个侧壁。电容器结构形成光电检测器结构的一部分，并且包括：第一电极，其跨越电介质层的顶表面并且跨越多个凹陷的每个凹陷的至少一个侧壁形成；电容器电介质层，其跨越第一电极形成；第二电极，其跨越电容器电介质层形成。检测器覆盖电容器结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116195064 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202180047890.X (74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限