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- 2023-06-02 发布于四川
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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，该3D存储器件包括：CMOS电路；以及存储单元阵列，存储单元阵列包括：叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的多个层间介质层与多个栅极导体；贯穿叠层结构的多个沟道柱；公共源区，与每个沟道柱的一端电连接，每个沟道柱的另一端与CMOS电路电连接；以及导电插塞，与公共源区电连接，并且自公共源区向存储单元阵列的远离CMOS电路的表面延伸，从而提供较短的导电路径，并且该导电插塞在3D存储器件的制造过程中还可以作为放电路径以保护3D存储器件。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112614854 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202011409870.6 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.03
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